ITECH 双脉冲测试平台搭建方案

双脉冲测试(Double PulseTest)是分析功率开关器件动态特性的常用测试，通过双脉冲测试可以便捷的评估功率器件的性能，获得稳态和动态过程中的主要参数，更好的评估器件性能，优化驱动设计等等。

虽然功率半导体器件的手册上会有参数标注，但这些参数都是在标准测试条件下得到的。使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师如果不加以测试，而直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率，无法全面了解器件性能，进而影响产品长期可靠性。又或者设计裕量过大带来成本增加，使得产品的市场竞争力下降。

如果能在设计研发阶段，精准地了解器件的开关性能，将对整个产品的优化带来极大的好处。比如能在不同的电压、电流和温度下获得开关损耗，给系统仿真提供可靠的数据;又比如可以通过观察波形振荡情况来选择合适的门极电阻。

ITECH作为功率半导体测试领域的领先供应商，为双脉冲测试提供多种先进电源及源表产品。

❏双脉冲测试平台
测试设备:
1.高压电源:IT6700H/IT6018C-1500-40/IT-M3906C-1500-12

2.电容组

3.负载电感

4.示波器

5.高压差分电压探头(1000:1)

6.电流探头

7.SMU:IT2806

❏双脉冲测试流程：

Step 1.在 t0 时刻，被测IGBT的门极接收到第一个脉冲，被测IGBT导通，母线电压U 加在负载电感L 上，电感上的电流线性上升，I=U*t/L

IGBT关断前的tl时刻，电感电流的数值由U和L 决定;在U和L都确定时，电流的数值由IGBT开启的脉宽Tl决定，开启时间越长，电流越大。
执行点:通过改变脉冲宽度的大小，自主设定电流的数值。

Step 2.tl到 t2之间，IGBT关断，此时负载的电流L 的电流由上管二极管续流，该电流缓慢衰减。tl 时刻，IGBT关断，因为母线杂散电感Ls 的存在，会产生一定的电压尖峰，
关注点:在该时刻，重点是观察IGBT 的关断过程，电压尖峰是重要的监控对象。

Step 3.在 t2 时刻，被测IGBT再次导通，续流二极管进入反向恢复状态，反向恢复电流会穿过IGBT，此时电流探头所测得的Ic 为 FRD反向电流与电感电流叠加，产生电流尖峰。
重点观察:IGBT的开通过程，电流峰值是重要的监控对象，同时应注意观察栅极波形是否存在震荡现象。

Step 4.在 t3时刻，被测IGBT再次关断，与第一次关断相同，因为母线杂散电感Ls 的存在，会产生一定的电压尖峰。
重点是观察:关断之后电压和电流是否存在不合适的震荡。

❏通过双脉冲测试我们可以得到什么?

1.获取ICRM(最大峰值电流)IRBSOA(最大关断电流)

2.测量主电路杂散电感:Us=Ls*di/dt

2.评估续流二极管的风险

❏双脉冲测试中的电流源

❏电容储能式脉冲电流源

脉冲恒流源以储能电容放电的方式发生电流脉冲。从功能实现角度分析，脉冲电源的工作电路由以下两个基本回路组成;

电容充电电路:直流源通过限流电阻R给超级电容充电;
脉冲放电电流:超级电容C通过开关管对负载RL放电;
脉冲电流幅值:电容C 充电压控制和电阻 RL决定;
脉冲宽度:开关时间t决定;

❏ITECH高压电源推荐型号:

√IT6018C-2250-20

客户期望在超级电容充电过程中电压建立速度快，过冲小。使用ITECHIT6000C系列高性能直流电源产品，利用CC/CV优先权功能有优秀的表现,帮助用户提高测试效率。更多产品资讯可致电4006-025-000或登录ITECH官网www.itechate.com了解详情